一种低失调的传感器检测电路

摘要：

本发明公开了一种低失调的传感器检测电路，它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器。其优点是：可消除放大器两端的失调电压，检测精度高，而且电路结构简单。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310501369.6

申请日期：2013-10-23

公开/公告号：CN103532498A

公开/公告日：2014-01-22

主分类号：H03F1/30(2006.01)I

申请/专利权人:成都市宏山科技有限公司

发明/设计人:黄友华

主申请人地址:610000 四川省成都市高新区永丰路20号附2号1层

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种低失调的传感器检测电路，其特征在于：它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管MOS2的漏极和场效应管MOS5的漏极均与电源相连；所述的电容C1的一端接地，另一端与场效应管MOS2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管MOS5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管MOS2的源极和场效应管MOS5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管MOS3的源极接地，漏极与场效应管MOS2的源极相连；所述的场效应管MOS6的源极接地，漏极与场效应管MOS5的源极相连。