一种采用电感补偿技术的超宽带低噪声放大器
一种采用电感补偿技术的超宽带低噪声放大器，包括放大单元、反馈单元和输出匹配单元,放大单元的输出端直接连接反馈单元和输出匹配单元的输入端,反馈单元的输出端接放大单元的输入端；放大单元采用自偏置反相器的结构，其偏置电阻较大以使得放大单元的输入阻抗很大，对输入匹配不产生影响；反馈单元由源跟随器驱动一个中等大小的电阻以完成输入匹配；输出匹配单元采用源跟随器结构，在一个很宽的频带内都能保持良好的输出匹配；放大单元采用了分裂负载电感补偿技术，将一个电感串联在MOS管的栅端，使得本发明提出的低噪声放大器的3dB带宽获得了较大提高，该放大器在很宽的频带内都能保持较为平坦的增益，同时该补偿电感对噪声也有一定的抑制作用。
发明专利
CN201310492023.4
2013-10-18
CN103532497A
2014-01-22
H03F1/26(2006.01)I
中国科学技术大学
黄东;刁盛锡;林福江
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251
成金玉%贾玉忠
安徽;34
一种采用电感补偿技术的超宽带低噪声放大器，其特征在于：包括放大单元、反馈单元和输出匹配单元，其中放大单元的输出端直接接反馈单元和输出匹配单元的输入端，反馈单元的输出端接放大单元的输入端；所述放大单元包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、电阻R1、电容C3和电感L1，其中：所述MOS管M3源端接电源，栅端接固定偏置电压Vbias，漏端接MOS管M2的源端并和电容C3相接；MOS管M3用作电流源，为放大单元1提供直流偏置；所述电容C3在MOS管M2的源端提供一个交流地；所述电阻R1一端接M2的栅端，并通过电感L1接M1的栅端，R1的另一端接M1和M2的漏端，R1取值较大，为MOS管M1和MOS管M2的自偏置提供直流通路；所述MOS管M1、MOS管M2和电阻R1组成自偏置反相器的结构，M1的源端接地，通过电流复用，MOS管M1和MOS管M2的跨导均用于信号放大，M1和M2的等效小信号输出电阻的并联值作为放大单元的负载，用于提供电压增益；所述电感L1串联在MOS管M1的栅端和射频信号输入端之间，通过串联谐振，M1栅端的电压在谐振频率前随着频率增长而增大，进而补偿了原本随着频率增长而下降的电压增益；所述反馈单元包括MOS管M4、MOS管M5、电阻R2和电容C2，其中：所述MOS管M5源端接电源，栅端接固定偏置电压Vbias，漏端接M4的源端，用于提供电流偏置；所述MOS管M4栅端接放大单元1的输出，漏端接地，其源端接隔直电容C2，电容C2的另一端接电阻R2，R2的另一端接射频信号输入端，通过M4的跨导和电阻R2的组合为放大器提供50欧姆的输入匹配。