一种低功耗晶体振荡器整形电路

摘要：

本发明公开了一种低功耗晶体振荡器整形电路，第一PMOS管、第三PMOS管、第一NOMS管、第三NOMS管的栅极连接形成信号输入端，第一PMOS管、第一NMOS管的漏极与第二PMOS管、第二NMOS管的栅极连接，第二PMOS管、第二NMOS管的漏极与第四PMOS管、第四NMOS管的栅极连接形成信号输出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏极与第一POMS管的源极连接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏极与第一NMOS管的源极连接，第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源极连接形成电源端，第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源极连接形成电源地，第二PMOS管与第二NMOS管形成第一反向器。本发明将正弦波信号整形为上升沿和下降沿都非常陡的方波信号，不仅整形电路自身消耗的功率小，而且能够减小后续时钟信号使用电路的功耗。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310434008.4

申请日期：2013-09-23

公开/公告号：CN103490729A

公开/公告日：2014-01-01

主分类号：H03B28/00(2006.01)I

申请/专利权人:湘潭芯力特电子科技有限公司

发明/设计人:张文杰;谢亮;金湘亮

主申请人地址:411104 湖南省湘潭市高新区晓塘路9号创新大厦1207

国别省市代码:湖南;43

权利要求：

一种低功耗晶体振荡器整形电路，其特征在于：包括多个PMOS管与多个NMOS管，其中第一PMOS管、第三PMOS管、第一NOMS管、第三NOMS管的栅极连接形成信号输入端，第一PMOS管与第一NMOS管的漏极连接，并且连至第二PMOS管和第二NMOS管的栅极，第二PMOS管与第二NMOS管的漏极连接，并且连至第四PMOS管和第四NMOS管的栅极，形成信号输出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏极与第一POMS管的源极连接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏极与第一NMOS管的源极连接，第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源极连接形成电源端，第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源极连接形成电源地，第二PMOS管与第二NMOS管形成第一反向器。