一种薄膜BAW谐振器和BAW滤波器

摘要：

本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器，属于谐振器和滤波器领域。本发明包括低阻硅的衬底、设于衬底上、且与衬底之间设有空气隙的支撑层，在支撑层上设有由下电极、压电层和上电极组成的三明治结构，在支撑层和压电层或仅在支撑区上设有金属化通孔，在低阻硅衬底的底面设有电极引出层，上电极或下电极通过金属化通孔与电极引出层电连通。本发明的谐振器将谐振器的上电极或下电极转移到衬底的背面，实现了电极在物理结构上的直接接地；利用这种谐振器组成的滤波器避免了键合引线带来的接地电感的影响，接地性能不受键合引线长短的影响，可实现滤波器装配后的性能与理想接地时的性能基本一致；并且在接地电路中不需加入任何其他元件，操作简单、方便。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310428936.X

申请日期：2013-09-22

公开/公告号：CN103490743A

公开/公告日：2014-01-01

主分类号：H03H9/02(2006.01)I

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第十三研究所

发明/设计人:李丽;韩东;邓建国;李宏军

主申请人地址:050051 河北省石家庄市合作路113号

专利代理机构:石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人:米文智

国别省市代码:河北;13

权利要求：

一种薄膜BAW谐振器，包括低阻硅的衬底（1）、设于衬底（1）上、且与衬底（1）之间设有空气隙（7）的支撑层（2），在支撑层（2）上设有由下电极（3）、压电层（4）和上电极（5）组成的三明治结构，其特征在于在支撑层（2）和压电层（4）或仅在支撑区（2）上设有金属化通孔（21），在低阻硅衬底（1）的底面设有电极引出层（22），所述上电极（5）或下电极（3）通过金属化通孔（21）与电极引出层（22）电连通。