一种指数可变增益放大电路

摘要：

本发明公开了一种指数可变增益放大电路，包括PMOS管M0、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10，所述PMOS管M0的漏极接地，其源极与PMOS管M1、M2、M10的漏极连接，所述PMOS管M1、M2的源极分别连接PMOS管M3、M4的漏极，PMOS管M3、M4的源极分别连接PMOS管M5、M6的漏极，栅极均与PMOS管M9的栅极连接；所述PMOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10的源极均连接电阻器RVDD；其中PMOS管M7的漏极与PMOS管M8的漏极相连，且PMOS管M7、M8的漏极之间串联有一输出电阻。这种指数可变增益放大电路调节范围较大，可以根据增益控制，改变输出电阻的大小，减小输入管输出阻抗对增益的影响。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310381525.X

申请日期：2013-08-29

公开/公告号：CN103490739A

公开/公告日：2014-01-01

主分类号：H03G3/30(2006.01)I

申请/专利权人:苏州苏尔达信息科技有限公司

发明/设计人:刘雄

主申请人地址:215200 江苏省苏州市吴江经济技术开发区长安路东侧（科技创业园）

专利代理机构:常州市维益专利事务所 32211

代理人:王凌霄

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种指数可变增益放大电路，其特征在于：包括PMOS管（M0、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10），所述PMOS管（M0）的漏极接地，其源极与PMOS管（M1、M2、M10）的漏极连接，所述PMOS管（M1、M2）的源极分别连接PMOS管（M3、M4）的漏极，PMOS管（M3、M4）的源极分别连接PMOS管（M5、M6）的漏极，栅极均与PMOS管（M9）的栅极连接；所述PMOS管（M5、M6 、M7、M8、 M9、M10）的源极均连接电阻器（RVDD）；其中PMOS管（M7）的漏极与PMOS管（M8）的漏极相连，且PMOS管（M7、M8）的漏极之间串联有一输出电阻（1）。