一种高速高精度缓冲电路

摘要：

本发明公开了一种高速高精度缓冲电路，由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管构成，所述第一MOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接电源正极输入端VINT，所述第二MOS管源极连接第三MOS管的漏极，栅极连接第四MOS管的栅极，所述第三MOS管3的源极连接直流电源VAA，栅极与第二MOS管源极连接，所述第四MOS管的源极与直流电源VAA连接，栅极连接电源正极输入端VINT。这种高速高精度缓冲电路输入和输出基本没有直流压降，输入电压VIN和输出电压VOUT基本相等，输出驱动能力强，直流增益高，可通过在第二MOS管栅极和漏极之间加补充电容来应付驱动大电容负载的情况；第四MOS管回路没有太多的负载，反馈速度快，适合高速电路。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310381524.5

申请日期：2013-08-29

公开/公告号：CN103490767A

公开/公告日：2014-01-01

主分类号：H03K19/094(2006.01)I

申请/专利权人:苏州苏尔达信息科技有限公司

发明/设计人:刘雄

主申请人地址:215200 江苏省苏州市吴江经济技术开发区长安路东侧（科技创业园）

专利代理机构:常州市维益专利事务所 32211

代理人:王凌霄

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种高速高精度缓冲电路，由第一MOS管（1）、第二MOS管（2）、第三MOS管（3）和第四MOS管（4）构成，其特征在于：所述第一MOS管（1）的源极连接直流电源（VAA），栅极连接输入电压（VIN），漏极连接电源正极输入端（VINT），所述第二MOS管（2）源极连接第三MOS管（3）的漏极，栅极连接第四MOS管（4）的栅极，所述第三MOS管（3）的源极连接直流电源（VAA），栅极与第二MOS管（2）源极连接，所述第四MOS管（4）的源极与直流电源（VAA）连接，栅极连接电源正极输入端（VINT）。