一种倒锥阵列三维细胞定位培养芯片及其制备方法

摘要：

本发明公开了一种倒锥阵列三维细胞定位培养芯片及其制备方法，属于生物微机电系统领域。该芯片包含阵列分布的倒锥，相邻倒锥之间分布有空腔，各相邻空腔之间有微沟槽相连接；所述芯片基于倒锥阵列硅模板及PDMS完成，其模板采用湿法刻蚀技术完成，其PDMS芯片采用复制模塑技术完成。本发明的有益效果：直接在硅片上湿法刻蚀出倒锥阵列结构，通过复制模塑技术，在PDMS表面构建锥形基底，利用细胞自重，使细胞滑入大小适中的空腔内，实现细胞长时间定位培养。同时，采用空腔之间具有微沟槽连接的图型化设计，使芯片不仅可用于细胞培养，亦可用于细胞间相互作用的研究。该芯片将为贴壁依赖型细胞研究及行为控制、理解细胞功能等提供强有力的工具。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310284955.X

申请日期：2013-07-08

公开/公告号：CN103333802A

公开/公告日：2013-10-02

主分类号：C12M3/00(2006.01)I

申请/专利权人:西北工业大学

发明/设计人:叶芳;郝艳鹏;魏晨;谢晋;蒋瑾;高洁

主申请人地址:710072 陕西省西安市友谊西路１２７号

专利代理机构:西北工业大学专利中心 61204

代理人:吕湘连

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

一种三维细胞定位培养芯片，材质为PDMS，其特征在于：所述芯片包含阵列分布的倒锥（1），相邻倒锥（1）之间分布有空腔（2），使得所述倒锥（1）阵列和空腔（2）阵列交错分布；各相邻空腔（2）之间有微沟槽（3）相连接，微沟槽（3）与空腔（2）底面齐平；空腔（2）最大内切圆直径满足：，其中，是待培养细胞（4）的平均直径；空腔（2）底面与锥尖高度差h满足：h≥h0，其中，h0是待培养细胞（4）的高度平均值；相邻两个空腔（2）间的距离l，即空腔（2）中心线之间的距离满足：当应用于细胞接触性连接研究时，；当应用于细胞非接触性连接研究时，，其中，l0是待培养细胞（4）突触长度的平均值；所述微沟槽（3）均匀分布，宽度b满足：0.5μm≤b≤10μm。FDA00003476932600015.jpg,FDA00003476932600016.jpg,FDA00003476932600017.jpg,FDA00003476932600018.jpg,FDA00003476932600019.jpg