一种荷控型忆阻器的实现电路及其实现方法

摘要：

本发明公开了一种荷控型忆阻器的实现电路的实现电路，包括输入交流电压源、电荷控制型电压源、第一电阻和第二电阻。本发明还公开了一种应用于荷控型忆阻器的实现电路的实现方法，包括以下步骤：步骤1、电压采样器对输入电压信号vin进行采集；步骤2、电流采样器对输入电流信号iin进行采集；步骤3、将电流采样信号输入到积分器进行积分；步骤4、对积分器的输出电压进行偏置处理；步骤5、利用除法器使输入电压信号vin与偏置后的积分信号相除；步骤6、计算忆阻值。具有可根据应用场合的需要，通过调节电阻值RL、直流电压Vref、运算系数k和输入电荷qin的大小，可得到不同参数的忆阻器等优点。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310275058.2

申请日期：2013-07-02

公开/公告号：CN103595392A

公开/公告日：2014-02-19

主分类号：H03K19/00(2006.01)I

申请/专利权人:华南理工大学

发明/设计人:丘东元;韦兆华;张波

主申请人地址:510641 广东省广州市天河区五山路381号

专利代理机构:广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人:蔡茂略

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种荷控型忆阻器的实现电路，其特征在于，包括输入交流电压源（10）、电荷控制型电压源、第一电阻（8）和第二电阻（9），所述输入交流电压源（10）、第一电阻（8）和第二电阻（9）依次连接，交流电压源（10）、第一电阻（8）和第二电阻均与电荷控制型电压源连接。