一种用于去除光阻残留物的清洗液

摘要：

本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂，有机多胺。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，对金属铜等基本不腐蚀；在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310245618.X

申请日期：2013-06-20

公开/公告号：CN104238288A

公开/公告日：2014-12-24

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:安集微电子科技（上海）有限公司

发明/设计人:刘兵;孙广胜;何春阳

主申请人地址:201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层

专利代理机构:上海翰鸿律师事务所 31246

代理人:李佳铭

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种用于去除光阻残留物的清洗液，含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂，其特征在于，所述清洗液包含有有机多胺。