一种改进半导体器件工艺窗口的方法

摘要：

本发明涉及一种改进半导体器件工艺窗口的方法，所述方法至少包括：1）设定第一目标轮廓图案，根据所述第一目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述第一目标轮廓图案；2）设定最终目标轮廓图案，根据所述最终目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述最终目标轮廓图案；其中，所述最终目标轮廓图案呈正方形或者圆形。本发明改变了现有技术中仅包含一个步骤进行光学临近校正的方法，所述方法包括至少两个步骤，通过所述方法得到的最后目标轮廓为正方形或者圆形，相对于现有技术器件的工艺窗口性能更加优异，器件性能提高，所述方法可以用于通孔或者接触孔的蚀刻，但是并不局限于通孔或者接触孔。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310242416.X

申请日期：2013-06-18

公开/公告号：CN104238260A

公开/公告日：2014-12-24

主分类号：G03F1/36(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:彭冰清;宋兴华;赵简;白凡飞

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京市磐华律师事务所 11336

代理人:董巍%高伟

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种改进半导体器件工艺窗口的方法，所述方法至少包括：1）设定第一目标轮廓图案，根据所述第一目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述第一目标轮廓图案；2）设定最终目标轮廓图案，根据所述最终目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述最终目标轮廓图案；其中，所述最终目标轮廓图案呈正方形或者圆形。