一种抗单粒子翻转与瞬态效应延时可调锁存器

摘要：

本发明公开了一种抗单粒子翻转与瞬态效应延时可调锁存器，该锁存器包括第一延时单元、第二延时单元、第一锁存单元、第二锁存单元和第三锁存单元。本发明通过调节延时单元偏置电压可分别改变第一延时单元与第二延时单元的延时，从而改变锁存器数据信号的建立时间，有效降低、甚至避免因发生在输入数据信号通路中的单粒子瞬态效应而引起的错误数据锁存；本发明通过引入冗余存储节点，在一个节点翻转时可以通过反馈从另外两个锁存单元恢复该节点电压。综上，本发明可在普通商用工艺条件下实现抗单粒子翻转，并通过可调延时单元改变锁存器建立时间，使数据路径上的瞬态效应得到有效抑制。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310188754.X

申请日期：2013-05-21

公开/公告号：CN103633990A

公开/公告日：2014-03-12

主分类号：H03K19/094(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院电子学研究所

发明/设计人:杨海钢;李天文;蔡刚;秋小强

主申请人地址:100190 北京市海淀区北四环西路19号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:宋焰琴

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种抗单粒子翻转与瞬态效应延时可调锁存器，其特征在于，该锁存器包括：第一延时单元、第二延时单元、第一锁存单元、第二锁存单元和第三锁存单元，其中：所述第一延时单元连接锁存器数据信号输入端D，其输出作为所述第一锁存单元的数据输入，用于调节锁存器输入数据信号的建立时间以降低单粒子瞬态效应影响；所述第二延时单元也连接锁存器数据信号输入端D，其输出作为所述第二锁存单元的数据输入，用于调节锁存器输入数据信号的建立时间以降低单粒子瞬态效应影响；所述第一锁存单元连接所述第一延时单元的输出端D1，第一锁存单元的数据由第一锁存单元与第二锁存单元的共同输出n4，第三锁存单元的输出Q及第二锁存单元的输出n2提供的偏置得到保持；所述第二锁存单元连接所述第二延时单元的输出端D2，第二锁存单元的数据由第一锁存单元与第二锁存单元的共同输出n4，第三锁存单元的输出Q及第一锁存单元的输出n1提供的偏置得到保持；所述第三锁存单元连接锁存器数据信号输入端D，第三锁存单元的数据由第一锁存单元的输出n1及第二锁存单元的输出n2提供的偏置得到保持；当所述第一锁存单元敏感点的存储值发生翻转时，由所述第二锁存单元和第三锁存单元通过反馈将第一锁存单元敏感点的存储值恢复，当所述第二锁存单元敏感点的存储值发生翻转时，由所述第一锁存单元和第三锁存单元通过反馈将第二锁存单元敏感点的存储值恢复，当所述第三锁存单元敏感点的存储值发生翻转时，由所述第一锁存单元和第二锁存单元通过反馈将第三锁存单元敏感点的存储值恢复。