R-T-B系稀土磁体粉末、R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法和粘结磁体

摘要：

本发明涉及R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法，其利用HDDR处理得到R-T-B系稀土磁体粉末，该R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法中，原料合金组成是R量为12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量为10at.％以下，在不活泼气氛或真空气氛中将原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后，将气氛切换到含氢的气体气氛，实施以上述温度范围进行保持的第一阶段HD工序，接着，再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围，实施以含氢的气体气氛进行保持的第二阶段HD工序。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310108069.1

申请日期：2013-03-29

公开/公告号：CN103357882A

公开/公告日：2013-10-23

主分类号：B22F9/04(2006.01)I

申请/专利权人:户田工业株式会社

发明/设计人:片山信宏;川崎浩史;森本耕一郎

主申请人地址:日本广岛县

专利代理机构:北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人:龙淳

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种R‑T‑B系稀土磁体粉末的制造方法，其利用HDDR处理得到R‑T‑B系稀土磁体粉末，该制造方法的特征在于：原料合金包含R、T、B，其中，R是包括Y的一种以上的稀土元素，T是Fe、或Fe和Co，B是硼，该原料合金的组成是R量为12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量为10at.％以下，在不活泼气氛或真空气氛中将该原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后，将气氛切换到含氢的气体气氛，实施以所述温度范围保持30分钟以上、150分钟以下的第一阶段HD工序，接着，再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围，实施以含氢的气体气氛保持60分钟以上、240分钟以下的第二阶段HD工序。