一种大芯片曝光方法及芯片

摘要：

本发明公开了一种大芯片曝光方法及芯片，通过曝光机台曝光一由至少两块光罩组成的大芯片时，该方法包括：在每块光罩的空余区域中确定设置对位标记的第一位置；通过第一方法在所述第一位置形成晶片曝光对位标记；在光刻涂胶层光刻胶的晶片上曝光所述晶片曝光对位标记，通过显影成像，每个曝光场都定义出对位标记图形，根据定义好的晶片曝光对位标记，曝光机台自动对准系统定义所述至少两块光罩的图形曝光，使所述至少两块光罩衔接形成大芯片。本发明公开的方法和装置可以节省零层光罩制作，在保证对准精度的同时可以节省一次长膜、光刻、刻蚀工艺流程，从而降低了大芯片曝光操作的繁杂度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201310002337.1

申请日期：2013-01-05

公开/公告号：CN103913954A

公开/公告日：2014-07-09

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:北大方正集团有限公司%深圳方正微电子有限公司

发明/设计人:彭超群;戴新华;方表峰;马玉玲

主申请人地址:100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层

专利代理机构:北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人:黄志华

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种大芯片曝光方法，其特征在于，通过曝光机台曝光一由至少两块光罩组成的大芯片时，该方法包括：在每块光罩的空余区域中确定设置对位标记的第一位置；通过第一方法在所述第一位置形成晶片曝光对位标记；在光刻涂胶层光刻胶的晶片上曝光所述晶片曝光对位标记，通过显影成像，每个曝光场都定义出对位标记图形，根据定义好的晶片曝光对位标记，曝光机台自动对准系统定义所述至少两块光罩的图形曝光，使所述至少两块光罩衔接形成大芯片。