2100纳米带通红外滤光片

摘要：

本实用新型公开了一种2100纳米带通红外滤光片，包括以Bk7玻璃为原材料的基板、以Si和SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Si和SiO为镀膜材料的第二镀膜层，所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层包括从内向外依次排列的厚度不同的Si层和SiO层，所述Si层和SiO层交互排列；所述第二镀膜层包括从内向外依次排列的厚度不同的Si层和SiO层，所述Si层和SiO层交互排列。本实用新型得到的2100纳米带通红外滤光片，能实现中心波长定位在2100±1％纳米，峰值透过率达90％以上，截止区透过率小于0.1％，极大地提高了信噪比，提高应用领域产品的探测精度和效能。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201220091300.1

申请日期：2012-03-12

公开/公告号：CN202472023U

公开/公告日：2012-10-03

主分类号：G02B5/20(2006.01)I

申请/专利权人:杭州麦乐克电子科技有限公司

发明/设计人:吕晶

主申请人地址:310000 浙江省杭州市西湖高新园区（杭州麦乐克电子科技有限公司）

专利代理机构:杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236

代理人:唐迅

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种2100纳米带通红外滤光片，包括以Bk7玻璃为原材料的基板(1)、以Si和SiO为镀膜材料的第一镀膜层(2)和以Si和SiO为镀膜材料的第二镀膜层(3)，所述基板(1)位于第一镀膜层(2)和第二镀膜层(3)之间，其特征是第一镀膜层(2)包含从内向外依次排列的厚度为78nm的Si层、厚度为123nm的SiO层、厚度为123nm的Si层、厚度为151nm的SiO层、厚度为167nm的Si层、厚度为119nm的SiO层、厚度为68nm的Si层、厚度为222nm的SiO层、厚度为93nm的Si层、厚度为128nm的SiO层、厚度为78nm的Si层、厚度为210nm的SiO层、厚度为79nm的Si层、厚度为92nm的SiO层、厚度为76nm的Si层、厚度为161nm的SiO层、厚度为68nm的Si层、厚度为148nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为206nm的SiO层、厚度为82nm的Si层、厚度为129nm的SiO层、厚度为165nm的Si层、厚度为180nm的SiO层、厚度为158nm的Si层、厚度为128nm的SiO层、厚度为70nm的Si层、厚度为305nm的SiO层、厚度为106nm的Si层、厚度为282nm的SiO层、厚度为289nm的Si层、厚度为350nm的SiO层、厚度为185nm的Si层、厚度为287nm的SiO层以及厚度为287nm的Si层；第二镀膜层(3)包含从内向外依次排列的厚度为143nm的Si层、厚度为285nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为571nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为285nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为285nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为285nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为1142nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为305nm的SiO层、厚度为158nm的Si层以及厚度为158nm的SiO层。