一种掩膜板及其制造方法

摘要：

本发明提供一种掩膜板及其制造方法，涉及半导体制造技术领域。本发明的掩膜板包括基底、位于基底上的图形化的硅钼薄膜、以及位于掩膜板的周边区域且位于硅钼薄膜上方的图形化的铬薄膜，还包括设置于铬薄膜上方且覆盖铬薄膜的保护层。本发明的掩膜板的制造方法，包括：提供基底，在基底上形成图形化的硅钼薄膜、位于硅钼薄膜上方且位于掩膜板周边区域的图形化的铬薄膜、以及位于铬薄膜上方且覆盖铬薄膜的保护层。本发明的掩膜板通过在周边区域的铬薄膜上增加保护层，阻止了清洗液及周围环境中的硫吸附在铬薄膜上，从而避免了掩膜板的雾状缺陷。本发明的掩膜板的制造方法制造的掩膜板，同样具有上述优点。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210568152.2

申请日期：2012-12-24

公开/公告号：CN103901715A

公开/公告日：2014-07-02

主分类号：G03F1/62(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:胡华勇

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京市磐华律师事务所 11336

代理人:董巍%高伟

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种掩膜板，包括基底、位于所述基底上的图形化的硅钼薄膜、以及位于所述掩膜板的周边区域且位于所述硅钼薄膜上方的图形化的铬薄膜，其特征在于，所述掩膜板还包括设置于所述铬薄膜上方且覆盖所述铬薄膜的保护层。