一种相移掩膜在二次曝光中侧蚀宽度安全范围的确定方法

摘要：

本发明提供一种相移掩膜在二次曝光中侧蚀宽度安全范围的确定方法，先提供包括透明基底、相移层及遮光层相移掩膜及光刻材料，于所述遮光层中形成多个不同宽度的曝光窗口，并采用预设能量的光通过各该曝光窗口对所述光刻材料依次进行第一次曝光及第二次曝光形成二次曝光图形；然后通过对所述二次曝光图形的检测确定在预设能量的光下相移掩膜在二次曝光下安全的侧蚀宽度范围。本发明可以通过一种简便的方法确定相移掩膜在二次曝光下安全的侧蚀宽度范围，为光刻过程提供了有效的依据，可以提高成品的良率。本发明步骤简单，功效显著，适用于工业检测。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210533032.9

申请日期：2012-12-11

公开/公告号：CN103869596A

公开/公告日：2014-06-18

主分类号：G03F1/26(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:严世传;葛海鸣

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:上海光华专利事务所 31219

代理人:余明伟

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种相移掩膜在二次曝光下安全侧蚀宽度范围的确定方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供包括透明基底、相移层及遮光层的相移掩膜及光刻材料，于所述遮光层中形成多个不同宽度的曝光窗口，并采用预设能量的光通过各该曝光窗口对所述光刻材料依次进行第一次曝光及第二次曝光形成二次曝光图形；2）通过对所述二次曝光图形的检测确定在预设能量的光下相移掩膜在二次曝光下安全的侧蚀宽度范围。