一种激光干涉纳米光刻制备双重周期纳米结构的方法

摘要：

本发明提出一种激光干涉纳米光刻制备双重周期纳米结构的方法，利用入射光束与调制光束的特定组合方式对干涉光场进行周期性调制，形成的干涉周期、调制周期在内的双重周期纳米结构，结合不同材料的光刻特性，在材料表面直接制造双重周期纳米结构。突破了激光干涉光刻技术制造二维单一周期性结构的局限性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210523661.3

申请日期：2012-11-30

公开/公告号：CN103852975A

公开/公告日：2014-06-11

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:长春理工大学

发明/设计人:王作斌;王大鹏;张子昂;刘洋;于淼;宋正勋;翁占坤;胡贞;许红梅

主申请人地址:130022 吉林省长春市卫星路7089号

国别省市代码:吉林;22

权利要求：

一种激光干涉纳米光刻制备双重周期纳米结构的方法，涉及光源系统、分光系统和曝光系统，其特征在于在干涉系统中引入调制光束对干涉光场进行周期性调制，空间上形成干涉周期、调制周期在内的双重周期纳米结构。