两次图形化工艺方法
本发明公开了一种两次图形化工艺方法，在制作掩膜版过程中在版图分拆后通过将沟槽图形部分所对应的版图进行布尔运算变换为线条图形，之后再采用线条图形的OPC模型对沟槽图形进行OPC修正。本发明不必对沟槽图形重新建立OPC模型，能简化版图的OPC模型，从而能降低分拆后的版图的OPC修正的复杂性，能大大降低掩膜版制作的难度、提高掩膜版制作的成功率，能提高LELE方法的实用性，使LELE方法能真正实用。
发明专利
CN201210506248.6
2012-11-30
CN103852970A
2014-06-11
G03F1/36(2012.01)I
上海华虹宏力半导体制造有限公司
王雷;袁春雨
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
丁纪铁
上海;31
一种两次图形化工艺方法，其特征在于，采用如下方法制作掩膜版：步骤一、将设计版图分拆成第一部分版图和第二部分版图，所述第一部分版图对应于一次成形图形，所述第二部分版图对应于两次成形图形；分拆方法为：首先计算光刻设备的分辨率：p1=k1*λ/NA，其中p1为光刻设备所能分辨的空间周期的一半，k1为工艺参数，λ为曝光波长，NA为光刻设备透镜组的数值孔径；其次进行如下比较，所述第一部分版图的空间周期的一半P2≥p1，所述第二部分版图的空间周期的一半P3＜p1；步骤二、将所述第二部分版图分拆成第一子部分版图和第二子部分版图，所述第一子部分版图对应所述第二部分版图的第一次图形化时的第一线条图形，所述第二子部分版图对应所述第二部分版图的第二次图形化时的第一沟槽图形，所述第一沟槽图形用于对所述第一线条图形进行分割；步骤三、将所述第一部分版图和所述第一子部分版图合并为版图一，使用OPC模型对所述版图一进行OPC修正；步骤四、将除去了所述版图一后的所述设计版图和所述第二子部分版图合并为版图二；步骤五、对所述版图二设置阻挡层，该阻挡层对所述版图二中所述第二子部分版图以外的图形部分进行阻挡，使后续对所述版图二所做的运算仅作用于所述第二子部分版图，阻挡的图形部分不进行后续运算；步骤六、对所述版图二的未被阻挡的图形部分进行第一次布尔运算，将所述第二子部分版图的第一沟槽图形转换为第二线条图形，转换时仅对图形的不透明和透明的属性进行变换，图形的关键尺寸不做变换；步骤七、使用和步骤三中相同的所述OPC模型对进行了第一次布尔运算的所述版图二进行OPC修正；步骤八、对OPC修改后的所述版图二的未被阻挡的图形部分进行第二次布尔运算，将所述第二子部分版图的所述第二线条图形转换回所述第一沟槽图形，转换时仅对图形的不透明和透明的属性进行变换，图形的关键尺寸不做变换；步骤九、将所述版图一制作成掩膜版一，将所述版图二制作成掩膜版二。