一种光刻胶做厚的方法

摘要：

本发明公开了一种光刻胶做厚的方法，提供待涂布的半导体晶片，向所述静止状态下的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出RRC，以旋转速度R1旋转所述的半导体晶片；增加旋转速度到R2，并向所述的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；降低旋转速度到R3为200RPM～500RPM，旋转5s～15s进行预匀胶；增加旋转速度到R4进行匀胶；降低旋转速度到R5进行边洗；以旋转速度R6对背面进行清洗；以旋转速度R7再次进行边洗；以旋转速度R8甩干清洗溶剂。本发明通过增加了预匀胶步骤，涂布后的半导体晶片，光刻胶厚度可以增加10%～15%。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210488190.7

申请日期：2012-11-26

公开/公告号：CN103838087A

公开/公告日：2014-06-04

主分类号：G03F7/16(2006.01)I

申请/专利权人:无锡华润上华科技有限公司

发明/设计人:李玉华

主申请人地址:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人:常亮

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种光刻胶做厚的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待涂布的半导体晶片，向所述静止状态下的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出RRC，以旋转速度R1旋转所述的半导体晶片；增加旋转速度到R2，并向所述的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；降低旋转速度到R3为200RPM～500RPM，旋转5s～15s进行预匀胶；增加旋转速度到R4进行匀胶；降低旋转速度到R5进行边洗；以旋转速度R6对背面进行清洗；以旋转速度R7再次进行边洗；以旋转速度R8甩干清洗溶剂。