获得缺陷态的两种二维声子晶体结构
本发明公开了一种获得缺陷态的两种二维声子晶体结构，本发明所述的二维声子晶体结构由若干个二维晶格单元周期排列组成，二维晶格单元由相互平行的水柱体及缺陷水柱体在水银中按二维晶格排列；二维晶格单元的水柱体至少五层，二维晶格的晶格常数a为1～10cm；所述的二维声子晶体结构由一种或几种密度不同的多层单元叠加组成，本发明获得缺陷态的二维声子晶体结构不需要改变柱体几何形状或其材料性质，只需简单的位置调节，即可获得缺陷态，制作工艺简单，可设计性强。
发明专利
CN201210461169.8
2012-11-16
CN102938251A
2013-02-20
G10K11/168(2006.01)I
广东工业大学
吴福根;何云;张欣;姚源卫;闫舒雅
510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
林丽明
广东;44
一种获得缺陷态的两种二维声子晶体结构，其特征在于：第一种获得缺陷态的二维声子晶体结构：所述的二维声子晶体结构由若干个二维晶格单元周期排列组成，所述的二维晶格单元由相互平行的第一水柱体（2）及第一缺陷水柱体（3）在水银中按二维晶格排列；所述第一水柱体（2）和第一缺陷水柱体（3）的半径相等，其半径是0.12a～0.26a；改变第一缺陷水柱体（3）的位置，使其位于偏离上述二维晶格单元排列中心的距离为0.001a～（0.50a?rd），其中a为晶格常数，rd为第一缺陷水柱体半径；第二种获得缺陷态的二维声子晶体结构：所述的二维声子晶体结构由若干个二维晶格单元周期排列组成，所述的二维晶格单元由相互平行的第二水柱体（5）在水银中按二维晶格排列，?在中心元胞内插入一个第二缺陷水柱体（6）；所述第二水柱体（5）和第二缺陷水柱体（6）的半径相等，其半径是0.10a～0.25a，所述第二缺陷水柱体（6）位于偏离上述二维晶格单元排列中心的距离为（0.50a?r0?rd）～0.50a，其中a为晶格常数，r0，rd分别为第二水柱体（5）半径，第二缺陷水柱体（6）半径；所述的二维晶格单元的水柱体至少五层，所述二维晶格的晶格常数a为1～10cm。