一种光刻的前烘工艺
本发明涉及一种光刻的前烘工艺,其特征在于,所述工艺方法如下:正胶—在温度设置为98℃烘箱中烘烤20分钟;负胶—温度设置为95℃平板加热器1分钟。本工艺在甩胶后增加前烘工艺,能够有效的去除胶膜中的溶剂,增加胶膜的耐磨性、黏附性。
发明专利
CN201210457898.6
2012-11-15
CN103809391A
2014-05-21
G03F7/38(2006.01)I
张恒
张恒
264003 山东省烟台市莱山区清泉路30-256号
北京轻创知识产权代理有限公司 11212
王澎
山东;37
一种光刻的前烘工艺,其特征在于,所述工艺方法如下:正胶—在温度设置为98℃烘箱中烘烤20分钟;负胶—温度设置为95℃平板加热器1分钟。