一种光刻的前烘工艺
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一种光刻的前烘工艺

引用
本发明涉及一种光刻的前烘工艺,其特征在于,所述工艺方法如下:正胶—在温度设置为98℃烘箱中烘烤20分钟;负胶—温度设置为95℃平板加热器1分钟。本工艺在甩胶后增加前烘工艺,能够有效的去除胶膜中的溶剂,增加胶膜的耐磨性、黏附性。

发明专利

CN201210457898.6

2012-11-15

CN103809391A

2014-05-21

G03F7/38(2006.01)I

张恒

张恒

264003 山东省烟台市莱山区清泉路30-256号

北京轻创知识产权代理有限公司 11212

王澎

山东;37

一种光刻的前烘工艺,其特征在于,所述工艺方法如下:正胶—在温度设置为98℃烘箱中烘烤20分钟;负胶—温度设置为95℃平板加热器1分钟。
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2014-05-21公开
2016-06-29发明专利申请公布后的视为撤回
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