一种掩膜版修复方法

摘要：

本发明公开了一种掩膜版修复方法，采用紫外光处理掩膜版的图形缺失修复后产生的halo残余缺陷，利用短波长高能量的紫外光，激发残余缺陷，使其短时间内分解，从而使得halo残余缺陷消失。并且，采用紫外光处理不会对掩膜版的相位层造成损坏，也就降低了处理的风险，同时能够避免残余缺陷在经过实际生产的大量过货使用而变得糟糕，大大延长了使用寿命，节省了生产成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210413900.X

申请日期：2012-10-25

公开/公告号：CN103777463A

公开/公告日：2014-05-07

主分类号：G03F1/72(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:吴苇

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:屈蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种掩膜版修复方法，其特征在于，包括：提供掩膜版；对所述掩膜版的缺陷区域进行图形填充；对图形填充后的掩膜版进行紫外光照射处理。