一种OPC验证方法以及掩膜版的制备方法

摘要：

本发明公开了一种OPC验证方法以及掩膜版的制备方法，提供OPC后的图案，根据所述OPC后的图案计算AEI轮廓并标出超出目标值误差的区域，之后进行器件模拟，检测模拟后的器件的电性能，以此判断OPC后的图案的优劣，并在此基础上进行掩膜版的制备。本发明将OPC的验证引入到直接检测器件的电性能这一方向，可以捕捉到对器件的生产具有不良影响的光刻变动，为制造良好的器件打下了较佳的基础，同时依据对电性能的检测能够捕捉到设计薄弱点，有利于掩膜版制造工艺的持续改善，从而有效的优化了设计过程，极大的节省了时间和投入资本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210413898.6

申请日期：2012-10-25

公开/公告号：CN103777459A

公开/公告日：2014-05-07

主分类号：G03F1/36(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:张婉娟

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:屈蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种OPC验证方法，其特征在于，包括：提供OPC后的图案；根据所述OPC后的图案计算AEI轮廓，并标出超出目标值误差的区域；由模拟器对所述AEI轮廓进行器件模拟；检测模拟后的器件的电性能；输出检测结果。