一种运算放大器、电平转换电路以及可编程增益放大器
本发明实施例公开了一种电平转换电路，包括两个运算放大器和共模反馈回路；所述运算放大器在P点插入了衬底和源极相接的PMOS源极跟随器，使得能够低失真的将大差分摆幅的3.3V高共模电平平移到1.2V低共模电平，且差分摆幅保持不变；所述共模反馈回路，接收两个运算放大器的输出信号，对两个输出信号进行取共模运算，将得到的共模值与设定的基准电压进行比较，并将比较结果作为反馈信号输出至两个运算放大器。本发明实施例还提供了一种运算放大器和可编程增益放大器。采用本发明实施例，能够同时实现从低电平到高电平转换以及从高电平到低电平转换的功能，且能满足输出大摆幅以及高线性度的要求。
发明专利
CN201210413014.7
2012-10-25
CN103780212A
2014-05-07
H03F3/45(2006.01)I
华为技术有限公司
杨金达;周立人;熊俊;林敬新
518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
陈蕾%许伟群
广东;44
一种运算放大器，其特征在于，所述运算放大器包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、以及第一电流源和第二电流源；所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极短接，共同接所述第一电流源的一端；所述第一电流源的另一端接高压工作电源；所述第一PMOS管的漏极接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的源极接地；所述第三NMOS管的栅极和漏极短接；所述第五NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极；所述第五NMOS管的源极接地；所述第五NMOS管的漏极接所述第七PMOS管漏极；所述第七PMOS管的源极接低压工作电源；所述第七PMOS管的漏极和栅极短接；所述第二PMOS管的漏极接所述第四NMOS管的漏极；所述第四NMOS管的源极接地；所述第四NMOS管的栅极和漏极短接；所述第六NMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极；所述第六NMOS管的源极接地；所述第六NMOS管的漏极接所述第八PMOS管漏极；所述第八PMOS管的源极接低压工作电源；所述第八PMOS管的栅极接所述第七PMOS管的栅极；所述第九PMOS管的源极接第二电流源的一端和所述第一PMOS管的栅极，所述第二电流源的另一端接高压工作电源；所述第九PMOS管的漏极接地；所述第九PMOS管的栅极接所述第八PMOS管漏极；所述第二PMOS管的栅极作为所述运算放大器的输入端；所述第九PMOS管的栅极作为所述运算放大器的输出端；所述第九PMOS管的衬底和源极相接。