一种用于接触孔图形设计的光学邻近修正的方法

摘要：

本发明提供一种用于接触孔图形设计的光学邻近修正的方法，包括：提供具有接触孔图形的设计版图；对所述设计版图中的接触孔图形实施第一光学邻近修正；判断经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形是否满足掩膜规则检验的要求，如果不满足掩膜规则检验的要求，则对经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形实施第二光学邻近修正时，在经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形之间添加另一图形使两个邻近的接触孔图形相连接成为一图形单元；对所述图形单元进行光刻投影模拟。根据本发明，对接触孔图形进行的光学邻近修正不会受到掩膜规则检验的限制，从而使修正后的接触孔图形能够完全补偿光刻模拟时光的干涉和衍射所引起的接触孔图形的变形。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210398044.5

申请日期：2012-10-18

公开/公告号：CN103777457A

公开/公告日：2014-05-07

主分类号：G03F1/36(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:王辉;王伟斌

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京市磐华律师事务所 11336

代理人:董巍%高伟

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种用于接触孔图形设计的光学邻近修正的方法，包括：提供具有接触孔图形的设计版图；对所述设计版图中的接触孔图形实施第一光学邻近修正；判断经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形是否满足掩膜规则检验的要求，如果经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形不满足掩膜规则检验的要求，则对经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形实施第二光学邻近修正时，在经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形之间添加另一图形使两个邻近的接触孔图形相连接成为一图形单元；对所述图形单元进行光刻投影模拟；判断所述光刻投影模拟得到的接触孔图形的尺寸是否与所述设计版图中的接触孔图形的尺寸相一致，如果二者的尺寸不一致，则对所述第二光学邻近修正进行迭代优化处理，直至二者的尺寸相一致为止。