一种CMOS电平移动电路

摘要：

本发明公开了一种CMOS电平移动电路。该电路包括参数相同的第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第五PMOS管（P5）、第六PMOS管（P6），参数相同的第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）和第四NMOS管（N4）。本发明的有益效果是：MOS管在半导体电路中所占的面积较小且工艺成熟、响应速度高，本电路结构简单，减小电路面积，提高CMOS电平移动速度和质量，适用于集成电路。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210337860.5

申请日期：2012-09-13

公开/公告号：CN103684410A

公开/公告日：2014-03-26

主分类号：H03K19/0185(2006.01)I

申请/专利权人:郑州单点科技软件有限公司

发明/设计人:王晓娟;吴勇;桑园

主申请人地址:450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室

国别省市代码:河南;41

权利要求：

一种CMOS电平移动电路，其特征在于，包括参数相同的第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第五PMOS管（P5）、第六PMOS管（P6），参数相同的第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）、第四NMOS管（N4）；所述第一PMOS管（P1）的源极连接电压源（VDD），漏极连接第二PMOS管（P2）的源极，栅极与第四PMOS管（P4）的漏极、第二NMOS管（N2）的漏极、第五PMOS管（P5）的栅极和第三NMOS管（N3）的栅极连接；第二PMOS管（P2）的栅极连接第一NMOS管（N1）的栅极和第二同相信号端（TURE2），漏极与第一NMOS管（N1）的漏极、第六PMOS管（P6）的栅极、第四NMOS管（N4）的栅极和第三PMOS管（P3）的栅极连接；第三PMOS管（P3）的源极和栅极分别连接电压源（VDD）和第四PMOS管（P4）的源极；第四PMOS管（P4）的漏极连接第二NMOS管（N2）的漏极，栅极连接第二NMOS管（N2）的栅极和第一方向信号端（BAR1）；第五PMOS管（P5）的源极连接电压源（VDD），漏极连接第三NMOS管（N3）的漏极和第二反相信号端（BAR1）；第六PMOS管（P6）的漏极连接第四NMOS管（N4）的漏极和第一同相信号端（TURE1）；所述第一NMOS管（N1）的源极、第二NMOS管（N2）的源极、第三NMOS管（N3）的源极和第四NMOS管（N4）的源极均接地（GND）。