一种形成光刻胶图案的方法及装置

摘要：

本发明提供一种形成光刻胶图案的方法及装置，涉及光刻技术领域。该形成光刻胶图案的方法包括：步骤S201：提供形成有待构图薄膜的衬底，在所述待构图薄膜上涂布一层光刻胶；步骤S202：对所述光刻胶进行曝光处理；步骤S203：对所述光刻胶进行显影处理；步骤S204：对所述显影后的光刻胶进行清洗处理；步骤S205：对所述清洗后的光刻胶进行低速旋转干燥处理；步骤S206：将所述光刻胶送入蒸发室进行干燥处理。该形成光刻胶图案的装置包括：腔体，设置于所述腔体上的密封结构和排气系统，还包括设置于该腔体内的支撑结构和加热板。本发明提供的形成光刻胶图案的方法及装置，可以防止光刻胶图案发生坍塌，能够实现更好的光刻胶图案。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210337284.4

申请日期：2012-09-12

公开/公告号：CN103676470A

公开/公告日：2014-03-26

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:丁丽华;林益世;胡华勇

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京市磐华律师事务所 11336

代理人:董巍%高伟

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种形成光刻胶图案的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S201：提供形成有待构图薄膜的衬底，在所述待构图薄膜上涂布一层光刻胶；步骤S202：对所述光刻胶进行曝光处理；步骤S203：对所述光刻胶进行显影处理；步骤S204：对所述显影后的光刻胶进行清洗处理；步骤S205：对所述清洗后的光刻胶进行低速旋转干燥处理；步骤S206：将所述光刻胶送入蒸发室进行干燥处理。