一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法及应用

摘要：

本发明公开了一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法及应用，该方法包括：首先制作压印模版，并对压印模版和压印基片进行固定；然后将压印模版与压印基片对准并贴合，将压印模版的微纳图形压印到压印基片的压印光刻胶上；最后将转移到压印光刻胶上的微纳图形作为刻蚀掩膜，刻蚀得到所需的集成光电子器件微纳图形结构。本发明能解决纳米压印方法用于集成光电子器件制作中的对准问题，大大提高纳米压印微纳图形的成品率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210297193.2

申请日期：2012-08-21

公开/公告号：CN103631086A

公开/公告日：2014-03-12

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:华中科技大学

发明/设计人:余永林;赵家霖;唐怡超;赵航

主申请人地址:430074 湖北省武汉市武昌珞喻路1037号

专利代理机构:湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人:王超

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法，其特征在于包括：首先制作压印模版，并对压印模版和压印基片进行固定；然后将压印模版与压印基片对准并贴合，将压印模版的微纳图形压印到压印基片的压印光刻胶上；最后将转移到压印光刻胶上的微纳图形作为刻蚀掩膜，刻蚀得到所需的集成光电子器件微纳图形结构。