一种光学邻近修正的焦平面选择方法

摘要：

本申请公开了一种光学邻近修正的焦平面选择方法，该方法在建立光学邻近效应模型过程中，在原本对焦平面不敏感的光罩图形中加入焦平面敏感的检测图形，用于选择最佳焦平面相关参数的取值，突破了用泊桑曲线选择最佳焦平面的局限性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210297030.4

申请日期：2012-08-20

公开/公告号：CN103631083A

公开/公告日：2014-03-12

主分类号：G03F1/36(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:王辉;刘庆炜

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人:牛峥%王丽琴

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种光学邻近修正的焦平面选择方法，该方法应用于光学邻近修正，在具有焦平面不敏感图形的光罩图形中加入焦平面敏感的检测图形；分别建立所述焦平面不敏感图形对应的第一泊桑曲线和所述焦平面敏感的检测图形对应的第二泊桑曲线，所述第二泊桑曲线具有波峰或波谷；根据所述第一泊桑曲线选取目标特征尺寸对应的第一焦平面相关参数，记录所述第二泊桑曲线的波峰或波谷对应的第二焦平面相关参数与所述第一焦平面相关参数之间的差值之后，该方法还包括：建立所述焦平面敏感的检测图形对应的第三泊桑曲线，所述第三泊桑曲线具有波峰或波谷；根据所述第三泊桑曲线的波峰或波谷对应的第三焦平面相关参数和所述相对差值计算焦平面不敏感图形的焦平面相关参数。