一种掩膜版的光学临近修正方法

摘要：

本发明涉及一种掩膜版的光学临近修正方法，包括：1）制备掩膜版图案并进行光学临近修正，得到修正掩膜版图案；2）将所述修正掩膜版图案轮廓扩大，得到扩大掩膜版图案；3）对所述扩大掩膜版图案进行轮廓仿真，得到扩大掩膜版图形轮廓；4）对所述扩大掩膜版图形轮廓的CD进行分析，得到CD差值-ΔCD，所述ΔCD等于所述修正掩膜版图案的MEEF；5）分析MEEF，并对所述MEEF大的区域进行标记。本发明通过在制备掩膜版时对MEEF较大的区域进行处理后，再将所述掩膜版进行曝光，所述晶圆片上的MEEF降低，从而使CD误差降低，得到目标图案，同时消除图案、电路的失真。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210279039.2

申请日期：2012-08-07

公开/公告号：CN103576444A

公开/公告日：2014-02-12

主分类号：G03F1/36(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:王辉

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京市磐华律师事务所 11336

代理人:董巍%高伟

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种掩膜版的光学临近修正方法，所述方法包括以下步骤：1）制备掩膜版图案并进行光学临近修正，得到修正掩膜版图案；2）将所述修正掩膜版图案轮廓扩大，得到扩大掩膜版图案；3）对所述扩大掩膜版图案进行轮廓仿真，得到扩大掩膜版图形轮廓；4）对所述扩大掩膜版图形轮廓的CD进行分析，得到CD差值?ΔCD，所述ΔCD等于所述修正掩膜版图案的MEEF；5）分析MEEF，并对所述MEEF大的区域进行标记。