作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法

摘要：

本发明涉及一种作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，包括下列步骤：对晶圆进行涂胶；对涂覆了光刻胶的所述晶圆进行软烘；对所述光刻胶进行曝光及显影；对曝光及显影后的光刻胶进行热坚膜，所述热坚膜步骤完成后所述晶圆上的光刻胶厚度为7.2~7.8微米；以热坚膜后的所述光刻胶为掩膜对硅槽进行刻蚀；所述光刻方法中不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤。本发明通过形成大于7微米的厚胶，提高了硅的选择比。同时由于不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤，可以使用干法去胶工艺，也就不会有去胶后甩干的步骤，避免了甩干导致的碎片问题。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210257697.1

申请日期：2012-07-24

公开/公告号：CN103576445A

公开/公告日：2014-02-12

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:无锡华润上华半导体有限公司

发明/设计人:徐春云

主申请人地址:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号

专利代理机构:广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人:邓云鹏

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，包括下列步骤：对晶圆进行涂胶；对涂覆了光刻胶的所述晶圆进行软烘；对所述光刻胶进行曝光及显影；对曝光及显影后的光刻胶进行热坚膜，所述热坚膜步骤完成后所述晶圆上的光刻胶厚度为7.2~7.8微米；以热坚膜后的所述光刻胶为掩膜对硅槽进行刻蚀；所述光刻方法中不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤。