一种纳米图形化系统及其光响应特性检测装置

摘要：

一种纳米图形化系统及其光响应特性检测装置，该纳米图形化系统包括电源、控制装置和测量装置，该测量装置包括电子束枪、真空腔、真空系统、样品台和光响应特性检测装置，该光响应特性检测装置包括光发射器、导入光纤、光探测器、CCD成像设备和精密传导光纤，该光发射器通过该精密传导光纤与该导入光纤连接，该光探测器通过该精密传导光纤与该CCD成像设备连接，该导入光纤及该光探测器均对应于该纳米图形化系统的样品台设置于该纳米图形化系统的真空腔内，该导入光纤用于将该光发射器发出的光束导入至该样品台的样品上，该光探测器用于采集该样品的反射光，该光探测器相对于该导入光纤设置以采集该样品的反射光。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210231008.X

申请日期：2012-07-05

公开/公告号：CN103529643A

公开/公告日：2014-01-22

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院物理研究所

发明/设计人:刘盼;郭鹏;于国强;韩秀峰;孙晓玉;周向前

主申请人地址:100190 北京市海淀区中关村南三街8号

专利代理机构:北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人:梁挥%尚群

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种纳米图形化系统的光响应特性检测装置，用于纳米图形化系统在微米和纳米图形化器件微加工和探测中，实时和原位探测微米和纳米图形化材料或器件的光响应特性，其特征在于，包括光发射器、导入光纤、光探测器、CCD成像设备和精密传导光纤，所述光发射器通过所述精密传导光纤与所述导入光纤连接，所述光探测器通过所述精密传导光纤与所述CCD成像设备连接，所述导入光纤及所述光探测器均对应于所述纳米图形化系统的样品台设置于所述纳米图形化系统的真空腔内，所述导入光纤用于将所述光发射器发出的光束导入至所述样品台的样品上，所述光探测器用于采集所述样品的反射光，所述光探测器相对于所述导入光纤设置以采集所述样品的反射光。