一种离子注入的阻挡层制作方法

摘要：

本发明提供了一种离子注入阻挡层的制作方法，该方法在光刻胶上方加入光学敏感型顶部抗反射层，在曝光和显影形成光刻图案的步骤中，增加光刻胶曝光区域与光学敏感型顶部抗反射层接触部分的溶解度，在其侧壁顶端呈圆弧状的阻挡层，减轻了后续离子注入过程中由于离子注入角度造成的阴影效应。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210196951.1

申请日期：2012-06-14

公开/公告号：CN103488045A

公开/公告日：2014-01-01

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:胡华勇

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人:牛峥%王丽琴

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种离子注入阻挡层的制作其特征在于，该方法包括：在光刻胶上方加入光学敏感型顶部抗反射层，在曝光和显影形成光刻图案的步骤中，增加光刻胶曝光区域与光学敏感型顶部抗反射层接触部分的溶解度，在其侧壁顶端呈圆弧状的阻挡层。