1μm带宽光隔离器

摘要：

本发明提供一种小型化的1μm带宽光隔离器，它适合作为激光加工等用途中使用的大功率激光器，譬如光纤激光器中的光隔离器。该1μm带宽光隔离器包括：法拉第转子，其在波长1.06μm下的费尔德常数为0.27min/(Oe*cm)以上；第1中空磁铁，被配置在上述法拉第转子的外周；以及第2及第3中空磁铁单元，在光轴上配置成将第1中空磁铁夹在中间。其特征在于：第2及第3中空磁铁单元，由沿与光轴方向成90度角的方向均等分割而得到的两个以上的磁铁构成；施加到所述法拉第转子上的磁通密度B(Oe)在下式(1)的范围之内；所述法拉第转子所配置的光路长L(cm)在下式(2)的范围之内。0.5×104≤B≤1.5×104  (1)，0.70≤L≤1.10  (2)。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201210091260.5

申请日期：2012-03-30

公开/公告号：CN103364972A

公开/公告日：2013-10-23

主分类号：G02F1/09(2006.01)I

申请/专利权人:信越化学工业株式会社

发明/设计人:矢作晃;田边敏之;渡边聪明

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人:王勇

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种1μm带宽光隔离器，包括：法拉第转子，其在波长1.06μm下的费尔德常数为0.27min/(Oe·cm)以上；第1中空磁铁，被配置在上述法拉第转子的外周；以及第2及第3中空磁铁单元，在光轴上配置成将第1中空磁铁夹在中间。其特征在于：所述第2及第3中空磁铁单元，由沿与光轴方向成90度角的方向均等分割而得到的两个以上的磁铁构成；施加到所述法拉第转子上的磁通密度B(Oe)在下式(1)的范围之内；所述法拉第转子被配置的光路长L(cm)在下式(2)的范围之内。0.5×104≤B≤1.5×104  (1)0.70≤L≤1.10          (2)。