一种可控硅的隔离触发电路

摘要：

本实用新型提供了一种可控硅的隔离触发电路，包括二极管D51、电阻R51、R52、R53、稳压件、电容C51、晶体管耦合器U51、及双向可控硅TR51；双向可控硅TR51的T2极通过负载同时与交流电源的一端及二极管D51的阳极相连，其T1极接交流电源的另一端；二极管D51的阴极通过电阻R53接晶体管耦合器的三极管的集电极；晶体管耦合器的二极管的阳极接直流电源输出端，其阴极通过电阻R52与控制信号输出端相连，晶体管耦合器的三极管的发射极通过电阻R51接双向可控硅TR51的G极；稳压件与电容C51并联后连接于晶体管耦合器的三极管的集电极与双向可控硅的T1极之间。本实用新型提供的可控硅的隔离触发电路具有结构简单、成本较低的优点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201120172130.5

申请日期：2011-05-26

公开/公告号：CN202077009U

公开/公告日：2011-12-14

主分类号：H03K19/14(2006.01)I

申请/专利权人:比亚迪股份有限公司

发明/设计人:何山

主申请人地址:518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种可控硅的隔离触发电路，其特征在于，包括二极管D51、电阻R51、R52、R53、稳压件、电容C51、晶体管耦合器U51、及双向可控硅TR51；双向可控硅TR51的T2极通过负载同时与交流电源的一端及二极管D51的阳极相连，其T1极接交流电源的另一端；二极管D51的阴极通过电阻R53接晶体管耦合器的三极管的集电极；晶体管耦合器的二极管的阳极接直流电源输出端，其阴极通过电阻R52与控制信号输出端相连，晶体管耦合器的三极管的发射极通过电阻R51接双向可控硅TR51的G极；稳压件与电容C51并联后连接于晶体管耦合器的三极管的集电极与双向可控硅的T1极之间。