全自动固态断路器

摘要：

本实用新型涉及一种半导体器件，公开了一种带有过流敏感器件的电路系统的全自动固态断路器。它包括相互电连接的耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻，所述耗尽型晶体管为耗尽型结型场效应晶体管JFET或耗尽型金属场效应晶体管MOSFET，增强型晶体管为增强型结型场效应晶体管JFET或增强型金属场效应晶体管MOSFET或双极性晶体管，所述耗尽型晶体管有至少有一个，增强型晶体管至少有两个，电阻至少有两个。本实用新型全部由固态元器件组成，利用半导体功率器件的可控性和快速的门极响应来实现对电路的高速保护作用。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201120104648.5

申请日期：2011-04-12

公开/公告号：CN202004739U

公开/公告日：2011-10-05

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:盛况

发明/设计人:盛况

主申请人地址:310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号浙江大学电气工程学院

专利代理机构:贵阳中新专利商标事务所 52100

代理人:吴无惧

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

全自动固态断路器，包括相互电连接的耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻，其特征在于：所述耗尽型晶体管为耗尽型结型场效应晶体管JFET或耗尽型金属场效应晶体管MOSFET，增强型晶体管为增强型结型场效应晶体管JFET或增强型金属场效应晶体管MOSFET或双极性晶体管，所述耗尽型晶体管有至少有一个，增强型晶体管至少有两个，电阻至少有两个。