一种开关电路

摘要：

本实用新型公开了一种开关电路，它包括一PMOSFET和一NMOSFET，其中，所述PMOSFET的栅极通过一第一电阻分别连接到其源极和一电压输入端，且通过第二电阻连接到所述NMOSFET的漏极，所述PMOSFET的漏极与一电压输出端相连接；所述NMOSFET的栅极通过一第三电阻连接到一负载节点，同时通过一第四电阻与其源极相连接且接地。采用本实用新型结构的开关电路具有结构简单，便于操作等优点，它能够最大限度地控制静态电流，安全节能。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201120098617.3

申请日期：2011-04-07

公开/公告号：CN202043093U

公开/公告日：2011-11-16

主分类号：H03K19/0944(2006.01)I

申请/专利权人:上海达华测绘有限公司

发明/设计人:王培胜;缪袁泉;焦永强;戚张富

主申请人地址:201208 上海市浦东新区浦东大道2501号6楼

专利代理机构:上海新天专利代理有限公司 31213

代理人:王敏杰

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种开关电路，它包括一PMOSFET和一NMOSFET，其特征在于：所述PMOSFET的栅极通过一第一电阻分别连接到其源极和一电压输入端，且通过第二电阻连接到所述NMOSFET的漏极，所述PMOSFET的漏极与一电压输出端相连接；所述NMOSFET的栅极通过一第三电阻连接到一负载节点，同时通过一第四电阻与其源极相连接且接地。