一种低电压低噪声宽带混频器

摘要：

一种低电压低噪声宽带混频器，设有跨导单元、巴伦单元、开关单元、负载单元以及缓冲单元电路，其特征在于：跨导单元采用栅极串联电感的共栅结构，单端输入射频信号直接输入至跨导单元经放大后输出至巴伦单元将单端射频信号转换为差分射频信号后输出至开关单元；本振信号输入至另一巴伦单元将单端信号转换为差分信号后亦输出至开关单元；开关单元将输入的差分本振信号与差分射频信号相乘，产生差分中频信号，再经负载及缓冲单元后，输出单端中频信号。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201120033128.X

申请日期：2011-01-30

公开/公告号：CN202068377U

公开/公告日：2011-12-07

主分类号：H03D7/14(2006.01)I

申请/专利权人:东南大学

发明/设计人:李智群;曹佳;李芹;王志功

主申请人地址:210096 江苏省南京市四牌楼2号

专利代理机构:南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人:汤志武

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种低电压低噪声宽带混频器，设有跨导单元、巴伦单元、开关单元、负载单元以及缓冲单元电路，其特征在于：跨导单元采用栅极串联电感的共栅结构，单端输入射频信号直接输入至跨导单元经放大后输出至巴伦单元将单端射频信号转换为差分射频信号后输出至开关单元；本振信号输入至另一巴伦单元将单端信号转换为差分信号后亦输出至开关单元；开关单元将输入的差分本振信号与差分射频信号相乘，产生差分中频信号，再经负载及缓冲单元后，输出单端中频信号；其中：跨导单元设有MOS管M1以及一个电容、一个电感和一个电流源；开关单元设有MOS管M2、M3、M4及M5；负载单元设有两个电阻；缓冲单元设有MOS管M6和M7；电路的连接关系如下：单端射频信号连接跨导单元MOS管M1的源极并通过电流源接地，MOS管M1的栅极串联电感后连接到偏置电压，同时MOS管M1的栅极还串联电容后接地，MOS管M1的漏极连接巴伦单元之初级线圈的一端，初级线圈的另一端连接电源VDD，次级线圈正相射频信号端与开关单元MOS管M2、M3的源极连接在一起，次级线圈的反相射频信号端与开关单元MOS管M4、M5的源极连接在一起，次级线圈中心抽头接地；本振信号连接另一巴伦单元之初级线圈的一端，初级线圈的另一端接地，次级线圈正相本振信号端与开关单元MOS管M2及M5的栅极连接在一起，次级线圈的反相本振信号端与开关单元MOS管M3及M4的栅极连接在一起，次级线圈中心抽头连接另一偏置电压；负载单元中两个电阻的一端均与电源VDD连接，两个电阻的另一端分别与开关单元MOS管M2、M4的漏极及MOS管M3、M5的漏极连接在一起；缓冲单元MOS管M6的栅极通过耦合电容与开关单元MOS管M2、M4的漏极连接在一起，MOS管M6的漏极连接电源VDD，MOS管M6的源极与MOS管M7的漏极连接在一起并与输出端口连接，MOS管M7的栅极通过另一耦合电容与开关单元MOS管M3、M5的漏极连接在一起，MOS管M7的源极接地。