Bi单质纳米结构材料及其制备方法与应用

摘要：

本发明涉及一种Bi单质纳米结构材料及其制备方法与应用，其优点在于：将该Bi单质纳米结构材料用于修饰电极，所得电极灵敏度高；该制备方法步骤少，不需要很高的实验条件，快速，利于工业化生产。本发明Bi单质纳米结构材料，所述Bi单质纳米结构材料是具有片状形貌的六方晶相Bi单质纳米颗粒，其中：所述纳米颗粒厚度为20-30nm，平面维度200-1200nm。本发明还涉及一种Bi单质纳米结构材料的制备方法，包括如下步骤：将表面活性剂、水合肼和氯化铋溶于水制备成悬浊液；将所述悬浊液在150-200℃条件下反应2-10小时，离心即得。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110371140.6

申请日期：2011-11-21

公开/公告号：CN103121108A

公开/公告日：2013-05-29

主分类号：B22F9/26(2006.01)I

申请/专利权人:中国检验检疫科学研究院

发明/设计人:杨海峰;李俊芳;闫妍;卢晓静

主申请人地址:100123 北京市朝阳区高碑店北路甲三号

专利代理机构:北京双收知识产权代理有限公司 11241

代理人:卢新%李云鹏

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种Bi单质纳米结构材料，其特征在于：所述Bi单质纳米结构材料是具有片状形貌的六方晶相Bi单质纳米颗粒，其中：所述纳米颗粒厚度为20‑30nm，平面维度200‑1200nm。