RC-IGBT的导通状态检测

摘要：

本发明涉及RC-IGBT的导通状态检测。一种电路布置包括：反向导通IGBT，配置成允许在正向方向上和在反向方向上导通负载电流，IGBT具有负载电流路径和栅极电极；栅极控制单元，连接到栅极电极并且配置成通过分别根据栅极控制信号对栅极电极进行充电或者放电来激活或者去激活IGBT；栅极驱动器单元，配置成通过感测因由于反向导通IGBT改变成它的反向导通状态而改变在负载路径两端的电压降所引起的栅极电流来检测IGBT是在正向方向还是反向方向上导通电流，栅极控制单元还被配置成在栅极驱动器单元检测到IGBT处于它的反向导通状态时去激活IGBT或者防止经由IGBT的栅极电极激活IGBT。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110354496.9

申请日期：2011-11-10

公开/公告号：CN102468837A

公开/公告日：2012-05-23

主分类号：H03K17/567(2006.01)I

申请/专利权人:英飞凌科技股份有限公司

发明/设计人:D. 多梅斯

主申请人地址:德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人:王岳%卢江

国别省市代码:德国;DE

权利要求：

一种电路布置，包括：反向导通IGBT，配置成允许在正向方向上和在反向方向上导通负载电流，所述IGBT具有负载电流路径和栅极电极；栅极控制单元，连接到所述栅极电极并且配置成通过分别根据栅极控制信号对所述栅极电极进行充电或者放电来激活或者去激活所述IGBT；栅极驱动器单元，配置成通过感测因由于所述反向导通IGBT改变成它的反向导通状态而改变在所述负载路径两端的电压降所引起的栅极电流来检测所述IGBT是在所述正向方向还是反向方向上导通电流；其中所述栅极控制单元还被配置成在所述栅极驱动器单元检测到所述IGBT处于它的反向导通状态时去激活所述IGBT或者防止经由所述IGBT的栅极电极激活所述IGBT。