延时单元电路

摘要：

本发明公开了一种延时单元电路，其包括：第一PMOS管，其源极与电源VDD相连接，其漏极与第二PMOS管的源极相连接，其栅极与输入电压Vin相连接；第二PMOS管，其栅极与第一滤波电路相连接，其漏极分别与第二NMOS管的漏极和公共连接点相连接；第二NMOS管，其漏极与公共连接点相连接，其栅极与第二滤波电路相连接，其源极与第一NMOS管的漏极相连接；第一NMOS管，其栅极与输入电压Vin相连接，其源极接地；第一电容，其第一端与公共连接点相连接，其第二端与电源VDD相连接；第二电容，其第一端与公共连接点相连接，其第二端接地；反相器，其输入端与公共连接点相连接。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110243304.7

申请日期：2011-08-23

公开/公告号：CN102299701A

公开/公告日：2011-12-28

主分类号：H03K5/13(2006.01)I

申请/专利权人:北京兆易创新科技有限公司

发明/设计人:刘铭

主申请人地址:100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室

专利代理机构:北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139

代理人:孙皓晨

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种延时单元电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电容、第二电容、反相器、第一滤波电路和第二滤波电路，其中所述第一PMOS管的源极与电源VDD相连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极相连接，所述第一PMOS管的栅极与输入电压Vin相连接；所述第二PMOS管的栅极与所述第一滤波电路相连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的漏极和公共连接点相连接；所述第二NMOS管的漏极与所述公共连接点相连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第二滤波电路相连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极相连接；所述第一NMOS管的栅极与输入电压Vin相连接，所述第一NMOS管的源极接地；所述第一电容的第一端与所述公共连接点相连接，所述第一电容的第二端与电源VDD相连接；所述第二电容的第一端与所述公共连接点相连接，所述第二电容的第二端接地；所述反相器的输入端与所述公共连接点相连接；所述第一滤波电路，用于在上升沿滤除电源和地对所述延时单元电路的噪声；所述第二滤波电路，用于在下降沿滤除电源和地对所述延时单元电路的噪声。