动态体偏置型C类反相器及其应用
本发明公开了一种动态体偏置型C类反相器及其应用。本发明的动态体偏置型C类反相器包括开关体偏置型C类反相器、第一增益自举模块、第二增益自举模块、PMOS体电位调制模块和NMOS体电位调制模块，其中开关体偏置型C类反相器的两个输入管体端都单独引出，与开关相连，通过开关切换进行动态体偏置，使得两个输入管在不同的开关相位具有不同的阈值电压和跨导等参数；本发明具有直流增益高以及抗工艺涨落、电源电压扰动和温度偏差能力较强等优点，同时大大降低了C类反相器在亚阈值状态时的静态功耗，可构成伪差分结构开关电容积分器，并适用于2-1级联Sigma-Delta模数转换器等极低功耗高精度的应用场合。
发明专利
CN201110186904.4
2011-07-05
CN102291103A
2011-12-21
H03K3/01(2006.01)I
浙江大学
罗豪;韩雁;张泽松;梁国;廖璐;虞春英
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224
胡红娟
浙江;33
一种动态体偏置型C类反相器，其特征在于，包括开关体偏置型C类反相器、第一增益自举模块、第二增益自举模块、PMOS体电位调制模块和NMOS体电位调制模块；其中，所述的开关体偏置型C类反相器由第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和四个开关组成；其中，第一PMOS管的栅端与第一NMOS管的栅端相连，第一PMOS管的源端接第一参考电平，第一PMOS管的体端同时接第一开关和第二开关的输入端，第一开关的输出端接第一参考电平，第二开关的输出端接所述PMOS体电位调制模块输出的体偏置电压，第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端；第二PMOS管的栅端接所述第一增益自举模块，第二PMOS管的体端接所述PMOS体电位调制模块输出的体偏置电压，第二PMOS管的漏端接第二NMOS管的漏端；第二NMOS管的体端接所述NMOS体电位调制模块输出的体偏置电压，第二NMOS管的栅端接所述第二增益自举模块，第二NMOS管的源端接第一NMOS管的漏端；第一NMOS管的源端接第一参考地，第一NMOS管的体端同时接第三开关和第四开关的输入端，第三开关的输出端接第一参考地，第四开关的输出端接所述NMOS体电位调制模块输出的体偏置电压。