基于比例电流源的延迟电路

摘要：

本发明提供了一种延迟电路，包括串联的前级CMOS反相器与后级CMOS反相器以及一端连接于上述两级反相器的连接节点，另一端接地的电容(C)，还包括：驱动电路、分别与所述驱动电路以及前级CMOS反相器连接的比例电流源；仅当前级CMOS反相器中的某一晶体管开启时，所述驱动电路产生驱动电流，所述比例电流源接收所述驱动电流并在该开启的晶体管输出比例电流；所述比例电流小于驱动电流；所述电容(C)通过所述比例电流，经由该开启的晶体管进行充电或放电。本发明延迟电路具有较长的延迟时间以及较小的器件占用面积。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110185888.7

申请日期：2011-07-04

公开/公告号：CN102291111A

公开/公告日：2011-12-21

主分类号：H03K17/567(2006.01)I

申请/专利权人:上海宏力半导体制造有限公司

发明/设计人:杨光军

主申请人地址:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人:骆苏华

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种延迟电路，包括串联的前级CMOS反相器与后级CMOS反相器以及一端连接于上述两级反相器的连接节点，另一端接地的电容(C)，其特征在于，还包括：驱动电路、分别与所述驱动电路以及前级CMOS反相器连接的比例电流源；仅当前级CMOS反相器中的某一晶体管开启时，所述驱动电路产生驱动电流，所述比例电流源接收所述驱动电流并向该开启的晶体管输出比例电流；所述比例电流小于驱动电流；所述电容(C)通过所述比例电流经由所述开启的晶体管进行充电或放电。