功率放大装置及功放电路

摘要：

本发明涉及一种功率放大装置及功放电路，所述功放电路采用Doherty电路结构，采用高电子迁移率晶体管(HEMT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器，采用扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)实现辅助(Peak)放大器。本发明功率放大装置及功放电路提高了功率放大的效率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110111346.5

申请日期：2011-04-29

公开/公告号：CN102185564A

公开/公告日：2011-09-14

主分类号：H03F1/04(2006.01)I

申请/专利权人:中兴通讯股份有限公司

发明/设计人:崔晓俊;陈化璋;刘建利

主申请人地址:518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部

专利代理机构:北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人:田红娟%龙洪

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种功率放大装置，该装置包括一个或多个串联的推动级功放电路以及与最后一个推动级功放电路的输出端连接的末级功放电路，其特征在于：所述推动级功放电路和末级功放电路均采用Doherty电路结构。