一种功率放大管以及功率放大方法

摘要：

本发明公开了一种功率放大管以及功率放大方法，此所述功率放大管包括峰值功放器和主功放器，所述峰值功放器和主功放器均集成所述功率放大管所在的同一封装；所述功率放大管中峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大，其它放大器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件进行信号功率放大。本发明应用于Doherty放大器，采用突破性的全新功放管芯组合方式设计功率管，与现有的全部采用LDMOS的功放管芯的Doherty放大器相比，可在保证功率放大管的小体积基础上实现高效率的功率放大。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110110877.2

申请日期：2011-04-29

公开/公告号：CN102158186A

公开/公告日：2011-08-17

主分类号：H03F3/21(2006.01)I

申请/专利权人:中兴通讯股份有限公司

发明/设计人:何钢;陈化璋;崔晓俊

主申请人地址:518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部

专利代理机构:北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人:李健%龙洪

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种功率放大管，应用于多赫蒂功放装置，所述功率放大管包括峰值功放器和主功放器，其特征在于，所述峰值功放器和主功放器均集成所述功率放大管所在的同一封装；所述功率放大管中峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大，其它放大器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件进行信号功率放大。