一种多赫蒂功放装置及功率放大方法

摘要：

本发明公开了一种多赫蒂功放装置及功率放大方法，本装置包括峰值功放装置，所述峰值功放装置用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大。采用本发明，与现有的主功放和辅助功放均采用LDMOS的Doherty功放相比，可使整个Doherty功放的功放效率得到大幅提升。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110110872.X

申请日期：2011-04-29

公开/公告号：CN102158177A

公开/公告日：2011-08-17

主分类号：H03F1/07(2006.01)I

申请/专利权人:中兴通讯股份有限公司

发明/设计人:段斌;崔晓俊;陈化璋;刘建利

主申请人地址:518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部

专利代理机构:北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人:李健%龙洪

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种多赫蒂功放装置，包括峰值功放装置，其特征在于，所述峰值功放装置，用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大。