一种多赫蒂功放装置及功率放大方法
本发明公开了一种多赫蒂功放装置及功率放大方法,本装置包括峰值功放装置和主功放装置,所述峰值功放装置用于采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件进行信号功率放大;所述主功放装置用于采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件进行信号功率放大。本发明采用HVHBT器件作为主功放。采用本发明,与现有的主功放和辅助功放均采用LDMOS的Doherty功放相比,可提升Doherty功放中主功放的功放效率从而使整个Doherty功放的功放效率得到大幅提升。
发明专利
CN201110110870.0
2011-04-29
CN102158183A
2011-08-17
H03F3/20(2006.01)I
中兴通讯股份有限公司
陈化璋;安晋元;刘建利;崔晓俊
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262
李健%龙洪
广东;44
一种多赫蒂功放装置,包括峰值功放装置和主功放装置,其特征在于,所述峰值功放装置,用于采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件进行信号功率放大;所述主功放装置,用于采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件进行信号功率放大。