一种高精度RC振荡器

摘要：

本发明涉及CMOS集成电路，具体涉及一种高精度的RC振荡器。本发明中的RC振荡器采用两级修调方式，第一级修调是比较参考电压的修调，目标是使振荡器的输出频率修调到第二级修调的范围内；第二级修调是充电电流的修调，目标是使振荡器的输出频率精度符合设计要求。比较器参考电压的产生和充电电流的恒流源设计，都基于带隙基准源，优点是参考电压和充电电流的温度系数都很小，使RC振荡器具有低温度漂移的优点。使用两级修调设计的RC振荡器，克服原有结构中因为集成电路工艺参数的变化，可能导致功能失效的缺点，同时两级修调的方法具备可操作性，便于实际操作。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110108915.0

申请日期：2011-04-26

公开/公告号：CN102158203A

公开/公告日：2011-08-17

主分类号：H03K3/011(2006.01)I

申请/专利权人:杭州芯赛微电子有限公司

发明/设计人:袁胜;胡克用

主申请人地址:310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园一号楼1133室

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种高精度的RC振荡器电路，该电路采用两级修调方式：第一级修调是比较器参考电压的修调，目标是使振荡器的输出频率修调到第二级修调的范围内；第二级修调是充电电流的修调，目标是使振荡器的输出频率精度符合设计要求。