复合体声波谐振器

摘要：

一种声波谐振器，包括：带有空气腔的基底；在基底上形成并位于空气腔之上的第一低、高声阻抗层对；在第一低、高声阻抗层对上形成的种子层；在种子层上形成的第一电极；在第一电极上形成的压电层；在压电层上形成的第二电极；在第二电极上形成的第二低、高声阻抗层对；在第二低、高声阻抗层对上形成的钝化层。第一低、高声阻抗层对包括位于空气腔之上的第一高声阻抗层，和位于第一高声阻抗层与种子层之间的第一低声阻抗层；第二低、高声阻抗层对包括在第二电极上形成的第二低声阻抗层，和在第二低声阻抗层与钝化层之间形成的第二高声阻抗层。本发明可以提高声波谐振器对环境变化和自身老化的抵抗能力，减小频率修正灵敏度，和/或优化声波谐振器的色散特性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110107703.0

申请日期：2011-04-27

公开/公告号：CN102291095A

公开/公告日：2011-12-21

主分类号：H03H3/02(2006.01)I

申请/专利权人:庞慰%张浩

发明/设计人:庞慰;张浩

主申请人地址:100026 北京市朝阳区金台里甲14-5-303

专利代理机构:天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人:杜文茹

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种声波谐振器，其特征在于，包括：(a)带有空气腔的基底；(b)在基底上形成并位于空气腔之上的第一低、高声阻抗层对；(c)在第一低、高声阻抗层对上形成的种子层；(d)在种子层上形成的第一电极；(e)在第一电极上形成的压电层；(f)在压电层上形成的第二电极；(g)在第二电极上形成的第二低、高声阻抗层对；(h)在第二低、高声阻抗层对上形成的钝化层。