一种带有正交相位误差校准的二分频器

摘要：

本发明公开了一种带有正交相位误差校准的二分频器。带有正交相位误差校准的二分频器，包括产生I通路信号的主锁存器和产生Q通路信号的从锁存器，其特征在于：所述的主锁存器的尾电流源是由MI1、MI2……MIN这N个NMOS晶体管组成的校准电路，MI1、MI2……MIN这N个晶体管的栅极分别由IB1、IB2……IBN这N个控制信号来控制，从而控制着主锁存器的偏置电流的大小；所述的从锁存器的尾电流源是由MQ1、MQ2……MQN这N个NMOS晶体管组成的校准电路，MQ1、MQ2……MQN这N个晶体管的栅极分别由QB1、QB2……QBN这N个控制信号来控制，从而控制着从锁存器的偏置电流的大小。本发明增加了控制字，调节锁存器偏置电流，校准了SCL结构的二分频器的正交两路信号的相位误差。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201110106872.2

申请日期：2011-04-27

公开/公告号：CN102299707A

公开/公告日：2011-12-28

主分类号：H03L7/06(2006.01)I

申请/专利权人:广州润芯信息技术有限公司

发明/设计人:李正平;王明照;林荣

主申请人地址:510000 广东省广州市经济技术开发区科学城彩频路11号A801室

专利代理机构:广州市南锋专利事务所有限公司 44228

代理人:李永庆

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种带有正交相位误差校准的二分频器，包括产生I通路信号的主锁存器和产生Q通路信号的从锁存器，其特征在于：所述的主锁存器的尾电流源是由MI1、MI2……MIN这N个NMOS晶体管组成的校准电路，MI1、MI2……MIN这N个晶体管的栅极分别由IB1、IB2……IBN这N个控制信号来控制，从而控制着主锁存器的偏置电流的大小；所述的从锁存器的尾电流源是由MQ1、MQ2……MQN这N个NMOS晶体管组成的校准电路，MQ1、MQ2……MQN这N个晶体管的栅极分别由QB1、QB2……QBN这N个控制信号来控制，从而控制着从锁存器的偏置电流的大小。